公开(公告)号：CN1917146A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610103856.7

申请日：2006-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范 ,  郑世镇

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明提供了一种形成具有改进电特性的多晶硅薄膜的方法，以及一种使用该形成多晶硅薄膜的方法制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在基板上形成非晶硅薄膜；通过用具有低能量密度的激光束照射非晶硅薄膜的一部分，部分熔化非晶硅薄膜的一部分；通过非晶硅薄膜的部分熔化的部分结晶，形成具有预定晶体排列的多晶硅晶粒；在重复移动基板预定距离的同时，通过具有高能量密度的激光束的照射，完全熔化多晶硅晶粒的一部分和非晶硅薄膜的一部分；以及通过完全熔化的硅以预定晶体排列均匀结晶，使多晶硅晶粒生长。

公开(公告)号：CN1848365B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

公开(公告)号：CN1848365A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

公开(公告)号：CN100555570C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200610103856.7

申请日：2006-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范 ,  郑世镇

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045

Abstract: 为了提高多晶硅薄膜晶体管的电特性，本发明提供了一种形成具有改进电特性的多晶硅薄膜的方法，以及一种使用该形成多晶硅薄膜的方法制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在基板上形成非晶硅薄膜；通过用具有低能量密度的激光束照射非晶硅薄膜的一部分，部分熔化非晶硅薄膜的一部分；通过非晶硅薄膜的部分熔化的部分结晶，形成具有预定晶体排列的多晶硅晶粒；在重复移动基板预定距离的同时，通过具有高能量密度的激光束的照射，完全熔化多晶硅晶粒的一部分和非晶硅薄膜的一部分；以及通过完全熔化的硅以预定晶体排列均匀结晶，使多晶硅晶粒生长。通过本发明的方法可制造具有改善电特性的多晶硅薄膜和包括该多晶硅薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101120123A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480041589.4

申请日：2004-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范 ,  郑世镇 ,  郑义振

IPC: C30B29/06 ,  H01L29/04 ,  C30B30/00 ,  G02F1/1368 ,  C30B35/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 生成脉冲频率高于约300Hz的光。该光在非晶硅薄膜上照射预定时间段，以形成初始多晶硅晶体；沿预定方向移动该光以使初始多晶硅晶体生长。将输出能量降低了的激光束照射在非晶硅薄膜上，以将非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，使得降低了生成激光束用装置的负载，并且增加了生成激光束用装置的寿命。