公开(公告)号：CN110400800B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN201910328300.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  白石千 ,  千志成 ,  辛宗祐 ,  崔凤贤

IPC: H10D84/40

Abstract: 一种半导体器件，包括：外围电路层，包括下基板；存储器单元层，在所述外围电路层上，包括第一上基板和第二上基板，所述第一上基板和所述第二上基板沿第一方向相邻地设置在所述外围电路层的上表面上；至少一个切割区域，在所述第一上基板和所述第二上基板之间；以及至少一个半导体图案，在所述第一上基板与所述第二上基板之间，并且与所述至少一个切割区域相邻。

公开(公告)号：CN110400800A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910328300.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  白石千 ,  千志成 ,  辛宗祐 ,  崔凤贤

IPC: H01L27/06

Abstract: 一种半导体器件，包括：外围电路层，包括下基板；存储器单元层，在所述外围电路层上，包括第一上基板和第二上基板，所述第一上基板和所述第二上基板沿第一方向相邻地设置在所述外围电路层的上表面上；至少一个切割区域，在所述第一上基板和所述第二上基板之间；以及至少一个半导体图案，在所述第一上基板与所述第二上基板之间，并且与所述至少一个切割区域相邻。

公开(公告)号：CN1177112A

公开(公告)日：1998-03-25

申请号：CN97112919.3

申请日：1997-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔范圭 ,  金容权 ,  辛宗祐

IPC: G02B7/198 ,  G02B26/02

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 一种可变形反射镜装置的制造方法,包括:在基片上按一定图案形成电极层;在基片和电极层上形成厚膜;在厚膜上表面形成支撑板;部分腐蚀厚膜形成至少一个通孔;将支撑板分成单个部分;在通孔内表面一侧形成一柱;在支撑板上表面上形成反射板;并除去厚膜。

公开(公告)号：CN1172208C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN97112919.3

申请日：1997-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔范圭 ,  金容权 ,  辛宗祐

IPC: G02B26/08 ,  G02B7/198

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 一种可变形反射镜装置的制造方法，包括；在基片上按一定图案形成电极层；在基片和电极层上形成厚膜；在厚膜上表面形成支撑板；部分腐蚀厚膜形成至少一个通孔；将支撑板分成半个部分；在通孔内表面一侧形成一柱；在支撑板上表面上形成反射板；并除去厚膜。