公开(公告)号：CN1917202B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。

公开(公告)号：CN1897269A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098778.6

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构、一种形成布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种TFT基板的制造方法。布线结构包括设置在下部结构上的阻挡层、设置在阻挡层上的包括铜或铜合金的铜导电层、设置在铜导电层上的包括氮化铜的中间层、以及设置在中间层上的覆盖层。

公开(公告)号：CN100562998C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200610098778.6

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构、一种形成布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种TFT基板的制造方法。布线结构包括设置在下部结构上的阻挡层、设置在阻挡层上的包括铜或铜合金的铜导电层、设置在铜导电层上的包括氮化铜的中间层、以及设置在中间层上的覆盖层。

公开(公告)号：CN1917202A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。