公开(公告)号：CN110890119B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910813280.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  赵胜晛 ,  申昌昊 ,  李龙宰

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 公开电压产生电路、存储器装置和产生位线预充电电压的方法。一种存储器装置包括电压产生电路，电压产生电路包括偏移补偿器，偏移补偿器被配置为：接收参考电压和偏移代码，并将偏移代码链接到参考电压。电压产生电路包括比较器，比较器被配置为：将链接到偏移代码的参考电压与位线预充电电压进行比较并输出驱动控制信号。电压产生电路包括驱动器，驱动器被配置为：响应于驱动控制信号输出处于参考电压的目标电平的位线预充电电压。电压产生电路包括背景校准电路，背景校准电路被配置为：产生用于执行控制的偏移代码，使得目标短路电流流过输出位线预充电电压的驱动器的输出节点。

公开(公告)号：CN113140243A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011445270.5

申请日：2020-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都成根 ,  金荣植 ,  韩公钦 ,  金尚玧 ,  赵胜晛

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4074 ,  G11C7/06

Abstract: 提供了用于存储器装置的字线驱动器电路和操作其的方法。所述存储器装置包括字线驱动器电路，字线驱动器电路可使用随着命令变化的较低高电压来有利地减小晶体管上的栅极应力。所述存储器装置包括多个存储器块，响应于块选择信号将高电压或较低高电压提供给可变高电压线，并且基于所述命令将较低高电压的电平改变为低电压电平、中电压电平或高电压电平。所述存储器装置将较低高电压施加到连接到第一字线驱动信号的P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的栅极，字线驱动信号驱动所述多个存储器块之中的未选择的存储器块的字线。

公开(公告)号：CN116741226A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211639221.4

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵胜晛 ,  金荣柱 ,  金荣华 ,  宋侑贞 ,  吴凛

IPC: G11C11/408

Abstract: 提供半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、行解码器和时序/电压控制电路。存储器单元阵列通过一个或多个行块标识位被划分为多个行块，并且所述多个行块中的每个包括在第一方向上布置的子阵列块。行地址包括所述一个或多个行块标识位。行解码器响应于行地址来激活结合到第一存储器单元的第一字线，激活结合到第二存储器单元的第二字线，并且输出行块信息信号。时序/电压控制电路基于行块信息信号根据在与第一方向交叉的第二方向上距参考位置的距离来调整对第一存储器单元和第二存储器单元进行的存储器操作的操作区间和操作电压中的至少一个。

公开(公告)号：CN110890119A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910813280.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  赵胜晛 ,  申昌昊 ,  李龙宰

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 公开电压产生电路、存储器装置和产生位线预充电电压的方法。一种存储器装置包括电压产生电路，电压产生电路包括偏移补偿器，偏移补偿器被配置为：接收参考电压和偏移代码，并将偏移代码链接到参考电压。电压产生电路包括比较器，比较器被配置为：将链接到偏移代码的参考电压与位线预充电电压进行比较并输出驱动控制信号。电压产生电路包括驱动器，驱动器被配置为：响应于驱动控制信号输出处于参考电压的目标电平的位线预充电电压。电压产生电路包括背景校准电路，背景校准电路被配置为：产生用于执行控制的偏移代码，使得目标短路电流流过输出位线预充电电压的驱动器的输出节点。