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公开(公告)号：CN118038928A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311502819.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/406
Abstract: 提供了电压发生器、存储器件和应用处理器。所述电压发生器包括：LDO(低压差)稳压器，所述LDO稳压器基于读出放大电路的内部电压节点的电压电平来向所述内部电压节点供应电流作为反馈控制；以及电源开关电路，所述电源开关电路包括多个电源开关，所述多个电源开关各自具有连接到外部电压的一端和连接到所述内部电压节点的相对端，并且所述电源开关电路基于要激活的读出放大器的已知数目来向所述内部电压节点供应所述电流作为前馈控制。所述电压发生器可以根据所述读出放大电路的操作模式高效地供应电流。
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公开(公告)号：CN117746944A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311102555.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4091 , G11C11/4074
Abstract: 提供了具有外围上单元结构的存储器核心电路和存储器装置。所述存储器核心电路包括：(i)存储器单元阵列，在其中具有子单元阵列，以及(ii)核心控制电路，在其中具有子外围电路，使得每个子外围电路在对应的子单元阵列下方延伸。每个子单元阵列包括分别连接到字线和位线的存储器单元。每个子外围电路包括：子字线驱动器，被配置为驱动字线；位线感测放大器，被配置为感测位线的电压；行解码电路，被配置为控制子字线驱动器，以选择字线中的一条；电源电路，被配置为将电力供应到每个子外围电路；以及控制电路，被配置为控制每个子外围电路的操作。通过使用高效地提供核心控制电路的CoP结构，存储器核心电路的尺寸可被减小并且设计裕度可被增强。
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公开(公告)号：CN116092548A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211388917.4
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4094 , G11C11/4091
Abstract: 提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，连接到第一位线和互补位线；第一位线感测放大器，被配置为感测、放大并输出第一位线信号和互补位线信号，第一位线信号在第一位线上输出，并且互补位线信号在互补位线上输出；电荷传输晶体管，连接到第一位线感测放大器，并且被配置为通过第一节点的电荷传输信号选通；偏移晶体管，被配置为基于偏移移除信号连接第一节点和第二节点；以及预充电晶体管，连接在第二节点与预充电电压线之间，并且预充电晶体管被配置为基于均衡信号对第一位线或互补位线进行预充电。
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公开(公告)号：CN110120243A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910004034.0
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、纠错码引擎、输入/输出选通电路以及控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储体阵列，每个存储体阵列包括动态存储器单元。响应于访问地址和命令，控制逻辑电路生成用于控制输入/输出选通电路的第一控制信号和用于控制纠错码引擎的第二控制信号。控制逻辑电路响应于第一命令控制纠错码引擎对将被存储在至少一个存储体阵列的第一页中的写入数据执行s位纠错码编码，并响应于第二命令控制纠错码引擎对从第一页读取的第一码字执行t位纠错码解码。
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公开(公告)号：CN118116441A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311622206.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括与多条位线和字线中的每一条连接的多个存储单元；第一位线读出放大器，通过第一存储单元和第一连接布线电连接到第一位线；以及第二位线读出放大器，通过长度与第一连接布线的长度不同的第二连接布线电连接到第二位线。调整第一位线的第一补偿负载和第二位线的第二补偿负载以均衡第一位线和第二位线的RC负载。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117854551A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311268239.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；以及偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间。
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公开(公告)号：CN100412500C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610071827.7
申请日：2006-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R1/06794
Abstract: 一种探针对齐验证电路，包括传感器垫片、第一传输线、控制单元、数据垫片、第二传输线、和响应单元。传感器垫片包括绝缘部分和导电部分。第一传输线电连接到导电部分和半导体器件的内部。控制单元维护第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分接收到探测信号时，将第一传输线的逻辑状态转换到第二逻辑状态。第二传输线向数据垫片提供预定的信号。响应单元控制第二传输线以便响应于第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。
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公开(公告)号：CN1908575A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610071827.7
申请日：2006-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R1/06794
Abstract: 一种探针对齐验证电路，包括传感器垫片、第一传输线、控制单元、数据垫片、第二传输线、和响应单元。传感器垫片包括绝缘部分和导电部分。第一传输线电连接到导电部分和半导体器件的内部。控制单元维护第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分接收到探测信号时，将第一传输线的逻辑状态转换到第二逻辑状态。第二传输线向数据垫片提供预定的信号。响应单元控制第二传输线以便响应于第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。
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公开(公告)号：CN109036492B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201810381498.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器装置及其操作方法以及存储器系统。半导体存储器装置包含存储单元阵列、错误校正码引擎、输入/输出门控电路以及控制逻辑电路。所述存储单元阵列包含存储体阵列，存储体阵列中的每一个包含第一子阵列和第二子阵列，且第一子阵列和第二子阵列中的每一个包含用以存储数据位的正常单元区以及用以存储奇偶校验位的奇偶校验单元区。错误校正码引擎产生奇偶校验位且校正错误位。输入/输出门控电路连接于错误校正码引擎与存储单元阵列之间。控制逻辑电路控制输入/输出门控电路以根据突发长度的整倍数对正常单元区执行列存取，且部分地根据突发长度的非整倍数对奇偶校验单元区执行列存取。
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