公开(公告)号：CN103225072A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310032307.5

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩炅燉 ,  赵珍锡

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4582

Abstract: 本发明提供一种气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置。该薄膜沉积装置包括：反应腔室；主盘，安装在反应腔室中；以及气体排放单元，设置在主盘外部。气体排放单元重新收集反应腔室中的气体，并包括：基底件，包括外侧壁、内侧壁以及连接外侧壁和内侧壁的下壁，并且是具有开口上部的环形件。至少一个通孔形成在下壁中。排放套管配置为插入到通孔中，其中在排放套管中形成气体出口。环形的上盖覆盖基底件的开口上部。在上盖中形成多个气体入口。

公开(公告)号：CN108963041A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810083144.6

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩丁泽 ,  金善云 ,  孟种先 ,  郑龙熙 ,  赵珍锡

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/325 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/007

Abstract: 一种半导体发光装置，其包括缓冲层上的III族氮化物半导体层。缓冲层按次序包括第一层、第二层和第三层。第一层、第二层和第三层中的每一个包括包含铝(Al)、氮(N)和氧(O)的组合物。第一层和第三层中的每一个的氧浓度(原子/cm3)的最小值或平均值大于第二层的氧浓度(原子/cm3)的最小值或平均值。