公开(公告)号：CN108963041A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810083144.6

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩丁泽 ,  金善云 ,  孟种先 ,  郑龙熙 ,  赵珍锡

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/325 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/007

Abstract: 一种半导体发光装置，其包括缓冲层上的III族氮化物半导体层。缓冲层按次序包括第一层、第二层和第三层。第一层、第二层和第三层中的每一个包括包含铝(Al)、氮(N)和氧(O)的组合物。第一层和第三层中的每一个的氧浓度(原子/cm3)的最小值或平均值大于第二层的氧浓度(原子/cm3)的最小值或平均值。