公开(公告)号：CN117998841A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310894652.3

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康㓓婷

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和平面地围绕第一区域的第二区域；下电极，设置在衬底的第一区域上并且沿竖直方向延伸；支撑部，围绕下电极的侧壁并且支撑下电极；第一上电极，在下电极上覆盖下电极，第一上电极包括设置在第一区域内的第一部分和设置在第二区域内的第二部分；介电层，布置在下电极与第一上电极之间；以及第二上电极，设置在第一上电极的第一部分上，其中，第二上电极不设置在第一上电极的第二部分上。

公开(公告)号：CN116133422A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211130243.8

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康㓓婷

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围电路区域；多个单元晶体管，其位于单元区域中；外围电路，其位于外围电路区域中；第一蚀刻停止膜，其覆盖多个单元晶体管；第二蚀刻停止膜，其覆盖外围电路并且限定穿过其中的底部插塞空间；电容器结构，其位于单元区域中并且包括多个下电极，多个下电极穿过第一蚀刻停止膜并且分别连接到单元晶体管；外围电路接触件，其位于外围电路区域中，外围电路接触件穿过第二蚀刻停止膜并且电连接到外围电路；以及绝缘衬垫，其位于第二蚀刻停止膜的限定底部插塞空间的侧壁部分上，绝缘衬垫围绕外围电路接触件的侧壁的至少一部分。