公开(公告)号：CN111081640A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910649354.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  张爱熙 ,  韩承宪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN111081640B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910649354.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  张爱熙 ,  韩承宪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN110767636A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910201970.0

申请日：2019-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张A·N ,  白南奎 ,  赵允来 ,  韩承宪

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板；多个外部连接，封装基板下方；主芯片，在封装基板上；至少一个从芯片，在主芯片上；多个第一凸块和多个第二凸块，在封装基板与主芯片之间；以及多根引线，将封装基板与至少一个从芯片相连。封装基板包括：多条第一路径，将多个第一凸块与多个外部连接相连；以及多条第二路径，将多个第二凸块与多根引线相连。封装基板的上表面包括沿第一方向延伸的第一边和第二边以及沿第二方向延伸的第三边和第四边。

公开(公告)号：CN110828392A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910635252.4

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩承宪 ,  赵允来 ,  白南奎 ,  A·N·张

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请提供了半导体器件和半导体封装。半导体器件具有半导体芯片区域和切割线区域，所述半导体芯片区域包含半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分，所述切割线区域包含连接到所述钝化膜的第一部分的所述钝化膜的第二部分、从钝化膜的第二部分的远端突出的第一绝缘膜、以及第一布线的至少一部分。第一绝缘膜的第一部分沿着钝化膜的第二部分的远端设置，第一绝缘膜的第二部分横向突出超过第一绝缘膜的第一部分，并且第一布线横向突出超出第一绝缘膜的第二部分。