公开(公告)号：CN108573918B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。

公开(公告)号：CN112397447A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010673029.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元东勋 ,  李在银 ,  高永权 ,  许埈荣

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/552 ,  B23K26/38

Abstract: 提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括：提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上；通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层；通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播；以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。

公开(公告)号：CN108573918A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。