公开(公告)号：CN101132008A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146502.5

申请日：2007-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许长垠 ,  崔锡宪 ,  任桐贤 ,  刘东哲 ,  金益秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了用于金属图案与铁电电容器的直接连接的FeRAM器件构造及其制造方法。FeRAM器件构造利用包含在导电塞中的一个或多个阻挡层的组合、包含在主导电图案或利用一种或多种贵金属形成的导电图案中的阻挡层，来抑制与传统的FeRAM构造相关的参量移位。

公开(公告)号：CN101034573B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710085499.0

申请日：2007-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘东哲 ,  裴丙才 ,  许长垠 ,  林志* ,  任桐贤

IPC: G11B9/14 ,  G11B9/00

CPC classification number: G01R3/00 ,  Y10T29/49151

Abstract: 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。

公开(公告)号：CN101034573A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085499.0

申请日：2007-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘东哲 ,  裴丙才 ,  许长垠 ,  林志 ,  任桐贤

IPC: G11B9/14 ,  G11B9/00

CPC classification number: G01R3/00 ,  Y10T29/49151

Abstract: 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。