公开(公告)号：CN104332492A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410323950.8

申请日：2014-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  金兑根 ,  朴赞毫 ,  许泫廷

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：彼此间隔开地布置在衬底的一个表面上的发射极和第一场板；布置在衬底的另一个表面上的集电极；布置在衬底中的沟槽式栅极；布置在衬底中的场扩散结；以及连接沟槽式栅极和第一场板的第一触点。第一场板具有第一部分和第二部分，第一部分相对于第一触点朝着发射极延伸并具有第一宽度，第二部分相对于第一触点朝着场扩散结延伸并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。