公开(公告)号：CN104332492A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410323950.8

申请日：2014-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  金兑根 ,  朴赞毫 ,  许泫廷

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：彼此间隔开地布置在衬底的一个表面上的发射极和第一场板；布置在衬底的另一个表面上的集电极；布置在衬底中的沟槽式栅极；布置在衬底中的场扩散结；以及连接沟槽式栅极和第一场板的第一触点。第一场板具有第一部分和第二部分，第一部分相对于第一触点朝着发射极延伸并具有第一宽度，第二部分相对于第一触点朝着场扩散结延伸并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN103594515A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310349441.8

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵敏权 ,  五味孝行 ,  朴赞毫 ,  赵南奇 ,  崔原墒

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；沟槽栅晶体管，其在第一区域中，沟槽栅晶体管包括：在衬底内的第一沟槽、填充至少一部分第一沟槽的栅极、和在衬底内并且在第一沟槽的每个侧壁上的源极；第一场扩散结，其在第二区域中；层间绝缘膜，其在衬底上，层间绝缘膜覆盖沟槽栅晶体管和第一场扩散结；第一接触件，其在第一区域中，第一接触件穿过层间绝缘膜并与源极接触；以及第二接触件，其在第二区域中，第二接触件穿过层间绝缘膜并与第一场扩散结接触，第一接触件和第二接触件具有相等高度并包括相同材料。