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公开(公告)号：CN119556850A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411024601.6
申请日：2024-07-29
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了存储器系统和运行存储器系统的方法。存储器系统包括：第一存储器；运行速度与第一存储器的运行速度不同的第二存储器；被配置为存储有指令的存储单元；被配置为响应于缓存命中的发生来更新预取器数据的预取器；以及被配置为执行存储在存储单元中的指令的处理器。当执行该指令时，处理器被配置为：通过过滤预取器数据来生成预取器友好数据，基于预取器友好数据，在与第一存储器相对应的第一指针区域和与第二存储器相对应的第二指针区域中设定预取器友好位，并且基于第一指针区域和第二指针区域的引用位和预取器友好位来确定是否迁移第一指针区域和第二指针区域的数据。
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公开(公告)号：CN119496785A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410449518.7
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/1095 , H04L49/10 , H04L49/90
Abstract: 提供了使数据同步的网络装置、系统和操作CXL交换装置的方法。各种示例实施例可包括用于使数据同步的操作网络装置的方法、包括操作网络装置的计算机可读指令的非暂时性计算机可读介质、包括网络装置的系统和/或计算快速链路(CXL)交换装置。一种基于CXL的系统包括：多个CXL处理装置，其被配置为基于输入矢量数据和子矩阵执行矩阵乘法计算，并且基于矩阵乘法计算的结果输出至少一个中断信号和至少一个数据包，至少一个数据包包括输出矢量数据和与输出矢量数据相关联的特性数据；以及CXL交换装置，其被配置为：使输出矢量数据同步，该同步包括基于中断信号和数据包对输出矢量数据执行计算操作；并且向多个CXL处理装置提供经同步的矢量数据。
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公开(公告)号：CN118377607A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311338602.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了加速器模块和包括加速器模块的计算系统。所述加速器模块包括多个存储器和控制器。控制器包括多个存储器控制器、多个处理单元和管理电路。所述多个存储器控制器和所述多个存储器形成多个存储器子通道。所述多个处理单元对存储在所述多个存储器中或者从所述多个存储器读取的多个数据执行计算操作。管理电路响应于第一存储器子通道和第一处理单元处于重工作负载状态而重新分发由所述多个处理单元执行的任务或者改变所述多个存储器控制器与所述多个处理单元之间的连接。
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公开(公告)号：CN118585464A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310888097.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉古·凡西·克里希南·塔兰奇 , 阿池塔·卡瑞 , 埃尔登·P·马修 , 苏镇麟 , 李宗键 , 文卡塔·拉维·尚卡尔·琼纳拉加达 , 维瑟努·查兰·图姆马拉
IPC: G06F12/06
Abstract: 本公开涉及公开了用于生成存储器映射的方法和系统的双列直插式存储器模块的领域。所述方法包括：由计算系统检测与计算系统相关联的一个或多个动态随机存取存储器(DRAM)芯片和DIMM中的至少一个。一个或多个加速器被配置在一个或多个DRAM芯片和DIMM中的至少一个中。此外，所述方法包括：经由与一个或多个DRAM芯片和DIMM中的至少一个相关联的串行存在检测(SPD)和多用途寄存器(MPR)中的至少一个，来针对一个或多个加速器中的每个确定加速器信息。方法包括：基于对应的一个或多个加速器的加速器信息针对一个或多个加速器中的每个生成唯一的存储器映射。因此，当一个或多个加速器的加速器能力被有效地利用时，计算系统的性能可被提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116400849A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211663913.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉古·瓦姆西·克里希纳·塔兰基 , 阿驰塔·哈雷 , 拉胡尔·塔里克里·拉维库马尔 , 苏镇麟 , 李宗键
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供用于初始化存储器装置的存储器接口和方法。用于初始化存储器装置的存储器接口包括：控制电路，被配置为：确定是否已经发生用于初始化存储器装置中的一个或多个存储器位置的触发事件，并且在确定已经发生触发事件时用预定义数据来初始化存储器装置中的一个或多个存储器位置。
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公开(公告)号：CN115543861A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210750029.6
申请日：2022-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于管理地址映射的近存储器处理(NMP)双列直插式存储器模块(DIMM)。该NMP DIMM包括：提供在双倍数据速率(DDR)接口上的静态随机存取存储器(SRAM)；以及地址管理控制器，耦合到SRAM并被配置为控制NMP DIMM：从主机系统接收第一指示以执行用于操作SRAM空间的接口训练；基于第一指示使用第一地址映射来执行接口训练；从主机系统接收指示用于操作SRAM空间的接口训练完成的第二指示；基于第二指示从第一地址映射切换到用于操作SRAM空间的第二地址映射；以及使用第二地址映射来操作SRAM空间。
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公开(公告)号：CN113971139A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110346383.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储模块和具有存储模块的存储系统。一种存储模块可以包括命令/地址端子、数据端子、至少一个监测端子、缓冲器和多个半导体存储器件。所述缓冲器可以被配置为接收并缓冲通过所述数据端子施加的数据和通过所述命令/地址端子施加的命令/地址，以生成缓冲的写入数据和缓冲的命令/地址。所述缓冲器可以被配置为对所述缓冲的写入数据和所述缓冲的命令/地址进行缓冲，以生成模块数据和模块命令/地址并进行存储，然后通过所述至少一个监测端子发送所述缓冲的写入数据的所述至少一部分作为监测数据。所述多个半导体存储器件可以被配置为响应于所述模块命令/地址来接收和存储所述模块数据。
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公开(公告)号：CN113806248B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202110575180.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0877 , G06F12/02 , G11C11/4096 , G11C29/08
Abstract: 一种存储器模块，包括：第一存储器器件；第二存储器器件；以及，处理缓存器电路，其被连接到第一存储器器件和第二存储器器件(彼此独立)以及主机。提供了一种处理缓存器电路，其包括处理电路和缓存器。处理电路基于从主机接收的处理命令，处理从主机接收的数据、存储在第一存储器器件中的数据、或存储在第二存储器器件中的数据中的至少一项。缓存器被配置为存储由处理电路处理的数据。处理缓存器电路被配置为，按照DDR SDRAM标准与主机通信。
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公开(公告)号：CN118227037A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202310860290.6
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储器件、其调度方法和计算快速链路装置。所述存储器件包括：请求程序寄存器，其被配置为使用第一协议从主机接收包括请求程序标识符的第一信号，并且被配置为输出与所述请求程序标识符相对应的第一优先级；检查程序模块，其被配置为使用与所述第一协议不同的第二协议从所述主机接收包括命令和请求类型的第二信号，其中，所述检查程序模块被配置为从所述请求程序寄存器接收所述第一优先级，并且其中，所述检查程序模块被配置为基于所述第一优先级和所述请求类型确定所述命令的第二优先级；命令生成器，其被配置为基于所述命令生成用于存储器操作的内部命令；以及存储器控制器，其被配置为基于所述第二优先级在命令队列中调度所述内部命令。
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