公开(公告)号：CN118119179A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311501788.X

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣潒珪 ,  金铉用 ,  金泫中 ,  朴准喜 ,  禹奎媛 ,  吴智媛 ,  崔允荣

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，包括元件分隔膜、由元件分隔膜限定并在第一方向上布置的有源区、以及与有源区和元件分隔膜交叉设置的沟槽；位线接触，位于沟槽内并且连接到有源区；位线结构，通过位线接触连接到基板并在不同于第一方向的第二方向上延伸跨过有源区；以及第一接触间隔物、第二接触间隔物和第三接触间隔物，在沟槽内并在位线接触周围，第一接触间隔物在沟槽内是连续的，第二接触间隔物和第三接触间隔物中的每个在沟槽内被分隔成至少两个分立的部分。

公开(公告)号：CN118742026A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311700611.2

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  禹奎媛 ,  申东花 ,  吕晟溱 ,  柳镐仁

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相邻的单元块区域和外围区域；第一有源图案和第二有源图案，其在所述单元块区域上在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；第一位线，其在所述第一有源图案上在所述第一方向上延伸；第二位线，其在所述第二有源图案上在所述第一方向上延伸；位线连接件，其将所述第一位线与所述第二位线彼此连接并且与所述外围区域相邻；内部间隔物，其位于所述位线连接件的内表面上；以及外部间隔物，其位于所述位线连接件的外表面上。所述内部间隔物在所述位线连接件的所述内表面上延伸(例如，覆盖其)，并且延伸到(例如，连续地延伸到)所述第一位线的内表面和所述第二位线的内表面上。