Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"朴准喜" Page 1

1.

发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118119179A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311501788.X

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣潒珪 , 金铉用 , 金泫中 , 朴准喜 , 禹奎媛 , 吴智媛 , 崔允荣

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，包括元件分隔膜、由元件分隔膜限定并在第一方向上布置的有源区、以及与有源区和元件分隔膜交叉设置的沟槽；位线接触，位于沟槽内并且连接到有源区；位线结构，通过位线接触连接到基板并在不同于第一方向的第二方向上延伸跨过有源区；以及第一接触间隔物、第二接触间隔物和第三接触间隔物，在沟槽内并在位线接触周围，第一接触间隔物在沟槽内是连续的，第二接触间隔物和第三接触间隔物中的每个在沟槽内被分隔成至少两个分立的部分。

Patent Agency Ranking