公开(公告)号：CN113140574A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110055063.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  沈载株 ,  禹东城 ,  林钟光 ,  张在薰

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区和连接区；交替地堆叠在衬底上的多个电极间电介质层和多个电极层，其中，所述多个电极层的端部在连接区上形成台阶形状；平面化的电介质层，其位于连接区上，并且覆盖所述多个电极层的端部；以及第一异常伪竖直图案，其位于连接区上，并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上穿过平面化的电介质层。所述多个电极层中的至少一个设置在第一异常伪竖直图案与衬底之间，并且与第一异常伪竖直图案绝缘。

公开(公告)号：CN115915767A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210742445.1

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  禹东城 ,  李泰坤 ,  朴凤泰 ,  沈载株 ,  郑泰哲

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域和外部区域；电极结构，包括电极和垫；垂直结构，在单元阵列区域上并穿透电极结构；以及分离绝缘图案，穿透作为电极中的一个的上电极，并将上电极分成沿与第一方向相交的第二方向布置的至少两个部分。分离绝缘图案包括第一部分和第二部分，第一部分在中心垂直结构中的至少一些之间，第二部分与第一部分间隔开，使得当在平面图中观察时，第二部分在外围垂直结构中的至少一些之间。

公开(公告)号：CN115696918A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210868073.7

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  姜泰源 ,  禹东城 ,  李泰坤 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体装置及包括其的数据存储系统，所述半导体装置包括衬底结构、堆叠结构、垂直存储结构、垂直虚设结构和上分隔图案，其中，当在高于所述上分隔图案的最下端的高度水平的第一高度水平的平面上观察时，所述虚设沟道层包括面对所述虚设数据存储层的第一虚设沟道区域和面对所述虚设数据存储层的第二虚设沟道区域，所述第一虚设沟道区域的厚度不同于所述第二虚设沟道区域的厚度。