公开(公告)号：CN119517127A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411165594.1

申请日：2024-08-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 白禄贤 ,  南基勋

IPC: G11C16/34

Abstract: 提供存储器装置及其编程方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个单元串；电压生成器，被配置为生成预充电电压、编程电压和负电压；以及控制逻辑电路，被配置为控制编程操作，编程操作用于将被选的存储器单元的阈值电压编程为具有目标状态，其中，基于编程电压的电压增量使用多个编程循环来执行编程操作，并且其中，所述多个编程循环之中的每个编程循环包括预充电持续时间和编程执行持续时间，其中，控制逻辑电路还被配置为在编程执行持续时间期间将负电压提供给包括在所述多个单元串之中的多个未被选的单元串中的多个未被选的串选择晶体管和多个未被选的地选择晶体管。

公开(公告)号：CN117836953A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056308.0

申请日：2022-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白禄贤 ,  郑珍洙 ,  尹俊植

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: 本公开揭露了一种全环栅场效应晶体管及其制造方法，该全环栅场效应晶体管不仅能够抑制在衬底的下端中发生穿通和电流从源区/漏区直接泄漏到沟道的下端中，还能够通过形成沟槽内部间隔物(TIS)来促进衬底的热量释放，并且因此防止源区/漏区杂质扩散到衬底中。

公开(公告)号：CN103378161A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310149427.3

申请日：2013-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金洞院 ,  金大万 ,  丁润夏 ,  朴修永 ,  朴赞训 ,  白禄贤 ,  李尚贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/78 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。