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公开(公告)号：CN117836953A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056308.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/49 , H01L29/66
Abstract: 本公开揭露了一种全环栅场效应晶体管及其制造方法，该全环栅场效应晶体管不仅能够抑制在衬底的下端中发生穿通和电流从源区/漏区直接泄漏到沟道的下端中，还能够通过形成沟槽内部间隔物(TIS)来促进衬底的热量释放，并且因此防止源区/漏区杂质扩散到衬底中。
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