公开(公告)号：CN103378161A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310149427.3

申请日：2013-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金洞院 ,  金大万 ,  丁润夏 ,  朴修永 ,  朴赞训 ,  白禄贤 ,  李尚贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/78 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。