公开(公告)号：CN119626292A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410829881.1

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东建 ,  柳明植 ,  元福渊 ,  李硕宰 ,  权大贤 ,  金暻旻 ,  白寅硕 ,  尹世宁

IPC: G11C11/4097 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/408 ,  G11C7/06

Abstract: 位线感测放大器包括放大电路、隔离电路、偏移消除电路和均衡器。放大电路连接到位线和互补位线，基于第一控制信号和第二控制信号感测位线和互补位线之间的电压差，并基于电压差调节感测位线和互补感测位线的电压。均衡器连接到感测位线，并且基于均衡信号将位线和互补位线均衡到预充电电压。均衡器包括均衡晶体管，该均衡晶体管具有源极、被配置为接收均衡信号的栅极、以及漏极。均衡晶体管的源极通过直接触点连接到布线结构，并且布线结构被配置为接收预充电电压。

公开(公告)号：CN117935878A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311322614.7

申请日：2023-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东建 ,  元福渊 ,  尹世宁 ,  金钟赫

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 一种半导体存储器件的位线感测放大器包括：感测放大器块，包括检测并放大位线和互补位线之间的信号差的PMOS驱动器或NMOS驱动器，并在位线延伸的方向上依次排列；列选择单元，根据第一列选择信号连接位线和局部输入/输出线；互补列选择单元，根据第二列选择信号连接互补位线和互补局部输入/输出线；列选择线，将第一列选择信号传输到列选择单元中的每个；以及互补列选择线，将第二列选择信号传输到互补列选择单元中的每个。列选择单元和互补列选择单元可以设置为分布在感测放大器块之间。

公开(公告)号：CN120018490A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411017412.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世宁 ,  权旲炫 ,  金东建 ,  元福渊

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H01L23/552

Abstract: 一种半导体器件包括基板、在基板上的晶体管、电连接到晶体管的位线结构、在位线结构上的沟道层、与位线结构相交的栅极结构、电连接晶体管和位线结构的第一导电线、与第一导电线重叠的上屏蔽线、以及侧屏蔽线，侧屏蔽线彼此间隔开且第一导电线插置其间。上屏蔽线和侧屏蔽线与第一导电线和位线结构电分隔。

公开(公告)号：CN119832954A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411414295.7

申请日：2024-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大贤 ,  金东建 ,  元福渊 ,  尹世宁

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4063

Abstract: 一种存储器器件包括第一半导体层和在第三方向上相对于第一半导体层布置的第二半导体层。第一半导体层包括存储器单元阵列、与存储器单元阵列耦合的位线和互补位线、与位线耦合的第一垂直导线、以及与互补位线耦合的第二垂直导线。第二半导体层包括外围电路、位线感测放大器、与位线感测放大器耦合的第一控制线和第二控制线、与位线感测放大器耦合的第三垂直导线、以及与位线感测放大器耦合的第四垂直导线。位线感测放大器包括由第一控制线和第二控制线中的至少一个共享的至少一个第一晶体管对。