公开(公告)号：CN100440430C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03140723.4

申请日：2003-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明亚 ,  申仁均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。

公开(公告)号：CN100501929C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510003689.4

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许圣民 ,  金成赫 ,  申仁均

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70433 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种调整通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差的方法。该方法包括测量通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差，然后在光掩模中形成凹部、底切或各向同性沟槽。凹部、底切或各向同性沟槽形成为具有对应于图形的临界尺寸偏差量的尺寸。凹部、底切或各向同性沟槽的尺寸通常小于光刻工序中使用的曝光源的波长λ。

公开(公告)号：CN1312529C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02131645.7

申请日：2002-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申仁均 ,  孙正玟 ,  尹熙璇 ,  崔成云

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G03F1/34 ,  G03F1/50

Abstract: 提供了一种能够实现轴外照射(OAI)的光掩模和制造该光掩模的方法。此光掩模包含透明衬底；形成在透明衬底前表面上的多个不透明图形，用于限定形成图形散光照明部分；形成在透明衬底背面上的多个相位光栅，允许超过曝光装置的OAI极限的入射光源的轴外照射(OAI)，允许用在孔的最外区，允许修正的照射具有适于不透明图形的布局的形状。

公开(公告)号：CN1638053A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003689.4

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许圣民 ,  金成赫 ,  申仁均

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70433 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种调整通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差的方法。该方法包括测量通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差，然后在光掩模中形成凹部、底切或各向同性沟槽。凹部、底切或各向同性沟槽形成为具有对应于图形的临界尺寸偏差量的尺寸。凹部、底切或各向同性沟槽的尺寸通常小于光刻工序中使用的曝光源的波长λ。

公开(公告)号：CN1469431A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03140723.4

申请日：2003-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明亚 ,  申仁均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。

公开(公告)号：CN1437069A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN02131645.7

申请日：2002-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申仁均 ,  孙正玟 ,  尹熙璇 ,  崔成云

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G03F1/34 ,  G03F1/50

Abstract: 提供了一种能够实现轴外照射(OAI)的光掩模和制造该光掩模的方法。此光掩模包含透明衬底；形成在透明衬底前表面上的多个不透明图形，用于限定形成图形散光照明部分；形成在透明衬底背面上的多个相位光栅，允许超过曝光装置的OAI极限的入射光源的轴外照射(OAI)，允许用在孔的最外区，允许修正的照射具有适于不透明图形的布局的形状。