公开(公告)号：CN100440430C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03140723.4

申请日：2003-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明亚 ,  申仁均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。

公开(公告)号：CN1469431A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03140723.4

申请日：2003-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明亚 ,  申仁均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。