公开(公告)号：CN109817626B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811389186.9

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 甘喜星 ,  李太熙 ,  金敬勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 提供一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，提供在衬底上以沿第一方向延伸并包括电极，电极垂直地堆叠在衬底上并包括堆叠在连接区域上以具有阶梯结构的垫部分；单元垂直结构，提供在单元阵列区域上以穿透电极结构；虚设垂直结构，提供在连接区域上以穿透每个电极的垫部分；以及单元接触插塞，联接到电极的垫部分。每个单元接触插塞可以具有非圆形顶表面，并且在俯视图中，虚设垂直结构可以布置为围绕每个单元接触插塞。

公开(公告)号：CN114188337A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111079273.6

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀振 ,  甘喜星 ,  高秉柱 ,  成贤柱

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括在下部结构上的层间绝缘层和水平层；垂直存储结构，在垂直方向上穿过堆叠结构；第一阻挡结构和第二阻挡结构，在垂直方向上穿过堆叠结构并且彼此平行；穿过堆叠结构的支撑物图案；以及穿过堆叠结构的贯穿接触插塞。第一阻挡结构包括在第一方向上排列并彼此间隔开的第一阻挡图案以及在第一方向上排列并彼此间隔开的第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个包括在第一方向上延伸的线形形状。在彼此相邻的第一阻挡图案和第二阻挡图案中，第一阻挡图案的一部分在垂直于第一方向的第二方向上与第二阻挡图案的一部分相对。

公开(公告)号：CN118804594A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311712064.X

申请日：2023-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀振 ,  金泓秀 ,  甘喜星 ,  高秉柱 ,  郑帐喜

IPC: H10B41/35 ,  G11C5/06 ,  H10B43/35

Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：源极结构，所述源极结构包括单元区和与所述单元区相邻的延伸区；位于所述单元区和延伸区上的栅极堆叠件；穿透接触，所述穿透接触设置在所述延伸区中；阶梯式绝缘层，所述阶梯式绝缘层设置在所述栅极堆叠件上；以及位于所述阶梯式绝缘层上的互连结构。所述互连结构可以包括第一互连绝缘层、位于所述第一互连绝缘层中的第一下导电图案、位于所述第一互连绝缘层上的覆盖层、以及穿透所述覆盖层的通路结构。所述通路结构可以包括连接到所述第一下导电图案和上导电图案的多个第一通路，并且所述第一通路可以设置在所述延伸区上。

公开(公告)号：CN110828427A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910312015.4

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太熙 ,  甘喜星 ,  金敬勋

IPC: H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于电阻器区域中的多个下图案以及位于多个下图案上且位于电阻器区域中的衬底上的电阻器线图案。多个下图案在与衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向垂直且与衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。电阻器线图案在第二方向上延伸。位于下图案上的电阻器线图案具有在与衬底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN110828427B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201910312015.4

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太熙 ,  甘喜星 ,  金敬勋

IPC: H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括电阻器区域、位于电阻器区域中的多个下图案以及位于多个下图案上且位于电阻器区域中的衬底上的电阻器线图案。多个下图案在与衬底的表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向垂直且与衬底的表面平行的第二方向上彼此间隔开。电阻器线图案在第二方向上延伸。位于下图案上的电阻器线图案具有在与衬底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN116387360A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211664653.0

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全英珠 ,  高秉柱 ,  甘喜星 ,  朴秀振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H10B51/40 ,  H10B51/20

Abstract: 提供了半导体器件及包括其的非易失性存储器装置和电子系统。所述半导体器件包括：基底，包括有源区域；栅极结构，与有源区域相交；源极/漏极区域，设置在有源区域上；下接触件，设置在源极/漏极区域或栅极结构上；上接触件，设置在下接触件上；以及多条导电线，设置在上接触件上，其中，所述多条导电线在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，其中，所述多条导电线包括设置在上接触件上的第一导电线，其中，下接触件在第一方向上的尺寸小于上接触件在第一方向上的尺寸，其中，下接触件在第二方向上的尺寸大于上接触件在第二方向上的尺寸，其中，第二方向与第一方向相交。

公开(公告)号：CN109817626A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811389186.9

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 甘喜星 ,  李太熙 ,  金敬勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，提供在衬底上以沿第一方向延伸并包括电极，电极垂直地堆叠在衬底上并包括堆叠在连接区域上以具有阶梯结构的垫部分；单元垂直结构，提供在单元阵列区域上以穿透电极结构；虚设垂直结构，提供在连接区域上以穿透每个电极的垫部分；以及单元接触插塞，联接到电极的垫部分。每个单元接触插塞可以具有非圆形顶表面，并且在俯视图中，虚设垂直结构可以布置为围绕每个单元接触插塞。