公开(公告)号：CN116387360A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211664653.0

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全英珠 ,  高秉柱 ,  甘喜星 ,  朴秀振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H10B51/40 ,  H10B51/20

Abstract: 提供了半导体器件及包括其的非易失性存储器装置和电子系统。所述半导体器件包括：基底，包括有源区域；栅极结构，与有源区域相交；源极/漏极区域，设置在有源区域上；下接触件，设置在源极/漏极区域或栅极结构上；上接触件，设置在下接触件上；以及多条导电线，设置在上接触件上，其中，所述多条导电线在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，其中，所述多条导电线包括设置在上接触件上的第一导电线，其中，下接触件在第一方向上的尺寸小于上接触件在第一方向上的尺寸，其中，下接触件在第二方向上的尺寸大于上接触件在第二方向上的尺寸，其中，第二方向与第一方向相交。