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发明公开
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN118804594A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311712064.X

申请日：2023-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀振 , 金泓秀 , 甘喜星 , 高秉柱 , 郑帐喜

IPC: H10B41/35 , G11C5/06 , H10B43/35

Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：源极结构，所述源极结构包括单元区和与所述单元区相邻的延伸区；位于所述单元区和延伸区上的栅极堆叠件；穿透接触，所述穿透接触设置在所述延伸区中；阶梯式绝缘层，所述阶梯式绝缘层设置在所述栅极堆叠件上；以及位于所述阶梯式绝缘层上的互连结构。所述互连结构可以包括第一互连绝缘层、位于所述第一互连绝缘层中的第一下导电图案、位于所述第一互连绝缘层上的覆盖层、以及穿透所述覆盖层的通路结构。所述通路结构可以包括连接到所述第一下导电图案和上导电图案的多个第一通路，并且所述第一通路可以设置在所述延伸区上。

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