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公开(公告)号：CN109427790B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810952305.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。
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公开(公告)号：CN111244094B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910846913.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管；第一线层，在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；第二线层，在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及包括字线的第三线层，在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。
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公开(公告)号：CN109427791B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810997289.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244094A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910846913.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管；第一线层，在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；第二线层，在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及包括字线的第三线层，在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。
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公开(公告)号：CN109427791A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810997289.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。
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公开(公告)号：CN109427790A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810952305.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。
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公开(公告)号：CN108242471B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201711373151.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN108242471A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711373151.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括鳍状物、第一栅电极至第四栅电极、第一存储器件和第二存储器件、第一搜索端子和第二搜索端子、以及第一虚设搜索端子和第二虚设搜索端子。鳍状物在第一方向上延伸。栅电极交叉鳍状物。存储器件与栅电极连接。第一搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。第二搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离。第一虚设搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离。第二虚设搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。
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