公开(公告)号：CN108242471B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201711373151.1

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪熙范 ,  洪彰敏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

公开(公告)号：CN108242471A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711373151.1

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪熙范 ,  洪彰敏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括鳍状物、第一栅电极至第四栅电极、第一存储器件和第二存储器件、第一搜索端子和第二搜索端子、以及第一虚设搜索端子和第二虚设搜索端子。鳍状物在第一方向上延伸。栅电极交叉鳍状物。存储器件与栅电极连接。第一搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。第二搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离。第一虚设搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离。第二虚设搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。