公开(公告)号：CN109427790B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810952305.0

申请日：2018-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑洛教 ,  梁雪云 ,  赵龙来 ,  洪熙范

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。

公开(公告)号：CN109427791B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810997289.7

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁雪云 ,  郑洛教 ,  洪熙范

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。

公开(公告)号：CN105390399A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510526883.4

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  朴在浩 ,  梁雪云 ,  宋泰中 ,  吴祥奎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法和一种半导体装置，所述半导体装置具有第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的第三区，所述方法包括：形成分别从第一区和第二区中的基板突出的第一初始有源图案和第二初始有源图案；在基板上形成暴露第三区的掩模图案；利用掩模图案作为蚀刻掩模来执行第一蚀刻工艺以分别形成第一有源图案和第二有源图案；以及在基板上形成栅极结构。

公开(公告)号：CN105390399B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201510526883.4

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  朴在浩 ,  梁雪云 ,  宋泰中 ,  吴祥奎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法和一种半导体装置，所述半导体装置具有第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的第三区，所述方法包括：形成分别从第一区和第二区中的基板突出的第一初始有源图案和第二初始有源图案；在基板上形成暴露第三区的掩模图案；利用掩模图案作为蚀刻掩模来执行第一蚀刻工艺以分别形成第一有源图案和第二有源图案；以及在基板上形成栅极结构。

公开(公告)号：CN109427791A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810997289.7

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁雪云 ,  郑洛教 ,  洪熙范

IPC: H01L27/11

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。

公开(公告)号：CN109427790A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810952305.0

申请日：2018-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑洛教 ,  梁雪云 ,  赵龙来 ,  洪熙范

IPC: H01L27/11

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。