公开(公告)号：CN110825655A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910476312.2

申请日：2019-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  柳载惪 ,  全裕勳

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供一种存取包括第一非易失性存储器与第二非易失性存储器的存储器件中的数据的方法，第一非易失性存储器与第二非易失性存储器是不同类型的存储器。所述方法包括：通过基于多个数据属性及能够存取的存储器类型对多个元数据进行分类来设定元数据属性表；响应于接收到对于多个元数据中的第一元数据的第一存取请求，基于元数据属性表来检测第一元数据的数据属性；基于第一元数据的所检测的数据属性来确定第一非易失性存储器及第二非易失性存储器中对于第一元数据而言最佳的目标存储器；以及基于第一元数据对目标存储器实行存取操作。多个元数据用于控制存储器件的操作。也提供一种存储器件及管理数据的方法。

公开(公告)号：CN118366525A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410062856.5

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  柳载惪 ,  李耀翰 ,  赵志虎

IPC: G11C16/34 ,  G11C5/02 ,  G11C5/14

Abstract: 提供非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器块，包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线，所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管，第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管；以及控制电路，被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。