公开(公告)号：CN1691322A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510076264.6

申请日：2005-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方光奎 ,  李建求 ,  柳庆锡 ,  方正浩 ,  辛庆善 ,  崔浩政 ,  崔升圭

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种熔丝区域及其制造方法。熔丝区域可以包括在衬底上形成的层间绝缘层，排列在层间绝缘层上的多个熔丝，以及位于熔丝之间的熔丝隔离壁，其中每一个熔丝隔离壁都可以包括下和上熔丝隔离图案。

公开(公告)号：CN100380656C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510076264.6

申请日：2005-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方光奎 ,  李建求 ,  柳庆锡 ,  方正浩 ,  辛庆善 ,  崔浩政 ,  崔升圭

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种熔丝区域及其制造方法。熔丝区域可以包括在衬底上形成的层间绝缘层，排列在层间绝缘层上的多个熔丝，以及位于熔丝之间的熔丝隔离壁，其中每一个熔丝隔离壁都可以包括下熔丝隔离图案和上熔丝隔离图案。