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公开(公告)号:CN107154345B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN201710123674.4
申请日:2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供,该方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,该目标层在基板上;在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除该多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,第二牺牲图案与第一间隔物交叉,每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,突出部部分具有比线部分宽的宽度;在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板,孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
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公开(公告)号:CN107154345A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201710123674.4
申请日:2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/76895 , H01L28/00 , H01L29/66621 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供,该方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,该目标层在基板上;在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除该多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,第二牺牲图案与第一间隔物交叉,每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,突出部部分具有比线部分宽的宽度;在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板,孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
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