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公开(公告)号：CN103065674A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210404449.5
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: G11C11/40622 , G11C11/40615
Abstract: 本发明公开在一种执行综合局部自刷新(CPSR)方案的半导体存储器件，在该CPSR方案中，CPSR操作在每个存储体中包括的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件包括：掩码信息寄存器，被配置为通过存储指示在其上不执行自刷新操作的存储体和段的信息来生成掩码信息；以及掩码操作电路，被配置为响应于掩码信息在每个存储体的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件根据用户便利性有效地执行刷新操作并支持低功耗。
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