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公开(公告)号:CN118136546A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202311028742.0
申请日:2023-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种管芯接合装置,包括:台架,被配置为支撑第一管芯;拾取头,被配置为拾取第二管芯;磁性材料区域,布置在第一管芯和第二管芯上;电磁体,布置在拾取头或台架的表面上;以及控制器,被配置为当第一管芯和第二管芯在竖直方向上彼此相距预定距离设置时向电磁体施加电流以产生磁场。由于电磁体产生的磁场,布置在第一管芯和第二管芯上的磁性材料区域在竖直方向上彼此对齐。
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公开(公告)号:CN109425764A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201810863816.5
申请日:2018-08-01
Abstract: 提供了半导体器件的改进的制造方法、探针卡、包括该探针卡的测试装置以及制造探针卡的方法。探针卡包括电路板、位于电路板下面的支撑件以及位于支撑件的底表面上的多个探针。每个探针具有配置为接触测试对象中包括的凸块的侧表面的尖端。支撑件可以包括位于与探针连接的底表面上的应力吸收层。半导体器件的制造可以包括:在半导体器件的主体上形成伸长的导电凸块、通过使探针的尖端接触凸块的侧表面而测试半导体器件、以及封装半导体器件。
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公开(公告)号:CN119920741A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202411522249.9
申请日:2024-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 提供一种裸片接合设备和裸片接合方法。将其上施加有亲水图案的晶片提供到其上形成有第一磁性图案的裸片座,并在亲水图案周围施加疏水图案。液体被分配到裸片座。将其上形成有第二磁性图案的第一裸片安置在晶片上,并利用液体的毛细管力对第一裸片进行第一对准。液体被分配到第一裸片的上表面上。第二裸片被安置在第一裸片的上表面上,并且利用第一裸片的上表面上的液体的毛细管力来对第二裸片进行第一对准。在第一磁性图案和第二磁性图案中产生磁场,并且利用磁力对第一磁性图案和第二磁性图案进行第二对准。
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公开(公告)号:CN118692928A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410304731.9
申请日:2024-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括:制备分别包括具有金属焊盘和电介质层的键合层的第一衬底和第二衬底;对第一衬底和第二衬底中的每一个的键合层的表面执行平面化工艺;将湿法原子层蚀刻应用于键合层的表面,使得金属焊盘的表面凹进至目标深度;以及利用退火工艺将第一衬底的键合层键合至第二衬底的键合层。
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公开(公告)号:CN116246974A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202211527395.1
申请日:2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法。用于制造半导体装置的方法使用用于制造半导体装置的设备,该设备包括:腔室;支撑结构,设置在腔室内部,并且被构造为支撑接合结构,该接合结构包括第一基底结构、第二基底结构以及设置在第一基底结构与第二基底结构之间的接合金属层;以及激光装置,设置在腔室上方,该用于制造半导体装置的方法包括使用激光装置向接合结构照射激光束。
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公开(公告)号:CN116061428A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211362919.6
申请日:2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B29C64/112 , B29C64/245 , B29C64/264 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种3D打印设备包括:基板台,其被配置为支承基板;液滴喷射器,其包括被配置为在基板上排放光可固化液滴的至少一个液滴喷嘴;第一光固化单元,其被配置为将光辐射至从液滴喷嘴排放的液滴沿其滴落的下降路径,以改变液滴的粘度;以及第二光固化单元,其被配置为将光辐射至着陆于基板上的液滴上,以固化液滴。
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公开(公告)号:CN118073212A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202311503409.0
申请日:2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造半导体封装件的方法,该方法包括:在平台上设置第一半导体管芯;将第二半导体管芯与第一半导体管芯彼此接合;向第二半导体管芯的与第一半导体管芯和第二半导体管芯的接合界面相对的表面施加热;以及测量第二半导体管芯的施加有热的表面上的温度变化,以检查接合界面的状态。
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公开(公告)号:CN115966496A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211230378.1
申请日:2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 一种衬底转移设备,包括与衬底的前表面相邻的多个保持单元。多个保持单元包括用于不接触地保持衬底的多个保持表面。多个真空孔设置在多个保持表面中以向衬底提供吸力。多个气孔设置在多个保持表面中以向衬底提供与吸力相反的浮力。间隔调整单元调整多个保持单元之间的间隔,使得从多个保持表面延伸的保持区域的大小对应于衬底的前表面的大小。
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