公开(公告)号：CN100485937C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510120246.3

申请日：2005-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  李松子

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C11/417 ,  G11C5/063 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/903 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件及其构建方法，并公开了一种改进的电路线布线。在靠近半导体存储器件的存储单元区的外围电路区中提供平滑的电路线，并消除写速度限制因素。形成待连接到栅极层的金属(代替金属硅化多晶硅)线路层，以传送电信号到形成在外围电路区中的FET(例如，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管))晶体管的栅极；该金属线路层形成(例如，通过一个金属镶嵌工艺)在与形成在栅极层(例如，通过另一金属镶嵌工艺)上的字线层不同的层上，因此获得具有减小的面积且不使用硅化物工艺的外围电路区的布线。

公开(公告)号：CN1790721A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120246.3

申请日：2005-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  李松子

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C11/417 ,  G11C5/063 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/903 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种改进的电路线布线，在靠近半导体存储器件的存储单元区的外围电路区中提供平滑的电路线，并消除写速度限制因素。形成待连接到栅极层的金属(代替金属硅化多晶硅)线路层，以传送电信号到形成在外围电路区中的FET(例如，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管))晶体管的栅极；该金属线路层形成(例如，通过一个金属镶嵌工艺)在与形成在栅极层(例如，通过另一金属镶嵌工艺)上的字线层不同的层上，因此获得具有减小的面积且不使用硅化物工艺的外围电路区的布线。