公开(公告)号：CN116419563A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211560023.9

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志银 ,  俞东昊 ,  黄德性 ,  金基珹 ,  徐承莹

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区；导电着落焊盘，在衬底上方的第一竖直高度处，并连接到有源区；电容器，包括在衬底上方的第二竖直高度处的下电极，第二竖直高度比第一竖直高度高；以及导电多功能插塞，包括：延伸着落焊盘部，在第三竖直高度处并接触导电着落焊盘，第三竖直高度在第一竖直高度和第二竖直高度之间；以及延伸下电极部，与延伸着落焊盘部一体连接，并接触下电极。电容器还包括介电层，该介电层覆盖下电极的表面和导电多功能插塞的延伸下电极部。

公开(公告)号：CN116017974A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211205444.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东昊 ,  李志银 ,  黄德性 ,  金基珹 ,  徐承莹

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：位线结构，在衬底上；接触插塞结构，在衬底上位于位线结构之间；以及电容器，电连接到接触插塞结构。接触插塞结构可以包括依次堆叠的第一接触插塞、第二接触插塞和第三接触插塞。第二接触插塞的上表面包括上凹部。第三接触插塞可以填充上凹部，并且可以在上凹部上方突出。第三接触插塞的上表面可以高于位线结构的顶表面。

公开(公告)号：CN117596864A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752892.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭旻 ,  宋泰龙 ,  安在荣 ,  李志银 ,  黄德性 ,  权睿珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：位线结构，在衬底上沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面低于第一金属图案的最下表面。