公开(公告)号：CN117596864A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752892.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭旻 ,  宋泰龙 ,  安在荣 ,  李志银 ,  黄德性 ,  权睿珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：位线结构，在衬底上沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面低于第一金属图案的最下表面。

公开(公告)号：CN119183287A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410739991.9

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  金圭旻 ,  金慧珍 ,  宋承润

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：位线，位于衬底的单元区域上；接触插塞，位于所述位线之间；着陆焊盘，位于所述接触插塞上；外围栅极，位于所述衬底的外围电路区域上；下层间绝缘层，覆盖所述外围栅极的侧表面；外围接触插塞，穿透所述下层间绝缘层；外围互连层，位于所述下层间绝缘层和所述外围接触插塞上；以及外围绝缘结构，在所述外围互连层之间穿过，其中，所述外围绝缘结构包括部分地穿透所述下层间绝缘层的第一外围绝缘结构，并且其中，所述第一外围绝缘结构包括第一外围绝缘层、位于所述第一外围绝缘层上并且在所述外围互连层之间穿过的第二外围绝缘层、和位于所述下层间绝缘层与所述第一外围绝缘层之间的混合物层。