公开(公告)号：CN116419563A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211560023.9

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志银 ,  俞东昊 ,  黄德性 ,  金基珹 ,  徐承莹

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区；导电着落焊盘，在衬底上方的第一竖直高度处，并连接到有源区；电容器，包括在衬底上方的第二竖直高度处的下电极，第二竖直高度比第一竖直高度高；以及导电多功能插塞，包括：延伸着落焊盘部，在第三竖直高度处并接触导电着落焊盘，第三竖直高度在第一竖直高度和第二竖直高度之间；以及延伸下电极部，与延伸着落焊盘部一体连接，并接触下电极。电容器还包括介电层，该介电层覆盖下电极的表面和导电多功能插塞的延伸下电极部。

公开(公告)号：CN118613049A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410202238.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  许先佑 ,  金秀彬 ,  金陈燮 ,  徐承莹 ,  宋泰龙

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。

公开(公告)号：CN116017974A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211205444.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东昊 ,  李志银 ,  黄德性 ,  金基珹 ,  徐承莹

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：位线结构，在衬底上；接触插塞结构，在衬底上位于位线结构之间；以及电容器，电连接到接触插塞结构。接触插塞结构可以包括依次堆叠的第一接触插塞、第二接触插塞和第三接触插塞。第二接触插塞的上表面包括上凹部。第三接触插塞可以填充上凹部，并且可以在上凹部上方突出。第三接触插塞的上表面可以高于位线结构的顶表面。