公开(公告)号：CN113921477A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202011543548.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  高永权 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  李泽勳

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底；中介层，位于基底上；第一底部填料，位于基底与中介层之间；至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件，位于中介层上；以及模制材料，位于中介层上，同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面。模制材料包括具有不同高度的区域。第一底部填料覆盖模制材料的一部分。

公开(公告)号：CN108878409B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201810440685.X

申请日：2018-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳 ,  李在银

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在衬底上彼此相邻；以及，多个凸块，在第一半导体芯片和第二半导体芯片的下表面上。第一半导体芯片和第二半导体芯片具有面向的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面。与在与第二侧表面相邻的第二区域中相比，在与第一侧表面相邻的第一区域中以更高的密度布置凸块。

公开(公告)号：CN113725198A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110324901.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  高永权 ,  朴辰遇 ,  李泽勋

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。

公开(公告)号：CN112397447A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010673029.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元东勋 ,  李在银 ,  高永权 ,  许埈荣

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/552 ,  B23K26/38

Abstract: 提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括：提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上；通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层；通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播；以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。

公开(公告)号：CN112289767A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010226239.6

申请日：2020-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在冏 ,  李在银 ,  高永权 ,  李泽勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括半导体芯片和下重新分布结构，半导体芯片包括芯片垫，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和下重新分布图案。下重新分布绝缘层可以包括面对半导体芯片的顶表面。半导体封装件还可以包括模塑层和位于模塑层中的导电柱，模塑层位于半导体芯片的侧面上并且包括面对下重新分布结构的底表面。导电柱可以包括接触下重新分布结构的底表面。下重新分布绝缘层的顶表面离导电柱的顶表面可以比模塑层的顶表面近。模塑层的顶表面的粗糙度可以大于导电柱的顶表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN108878409A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810440685.X

申请日：2018-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵京淳 ,  李在银

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在衬底上彼此相邻；以及，多个凸块，在第一半导体芯片和第二半导体芯片的下表面上。第一半导体芯片和第二半导体芯片具有面向的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面。与在与第二侧表面相邻的第二区域中相比，在与第一侧表面相邻的第一区域中以更高的密度布置凸块。