公开(公告)号：CN112289767A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010226239.6

申请日：2020-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在冏 ,  李在银 ,  高永权 ,  李泽勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括半导体芯片和下重新分布结构，半导体芯片包括芯片垫，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和下重新分布图案。下重新分布绝缘层可以包括面对半导体芯片的顶表面。半导体封装件还可以包括模塑层和位于模塑层中的导电柱，模塑层位于半导体芯片的侧面上并且包括面对下重新分布结构的底表面。导电柱可以包括接触下重新分布结构的底表面。下重新分布绝缘层的顶表面离导电柱的顶表面可以比模塑层的顶表面近。模塑层的顶表面的粗糙度可以大于导电柱的顶表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN113921477A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202011543548.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  高永权 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  李泽勳

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底；中介层，位于基底上；第一底部填料，位于基底与中介层之间；至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件，位于中介层上；以及模制材料，位于中介层上，同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面。模制材料包括具有不同高度的区域。第一底部填料覆盖模制材料的一部分。