公开(公告)号：CN100541718C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200510079521.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  池京求 ,  姜昌珍 ,  李哲圭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗(Si1-xGex)牺牲层，具有等于或高于至少导电线结构的高度的高度。然后，在牺牲层上形成用于限定接触孔的光刻胶图形，以及干法刻蚀牺牲层，由此形成用于露出衬底的接触孔。使用多晶硅形成用于填充接触孔的大量接触，以及剩余的牺牲层被湿法刻蚀。然后，用氧化硅填充除去了牺牲层的区域，由此形成第一层间绝缘层。

公开(公告)号：CN1750234A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510079521.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  池京求 ,  姜昌珍 ,  李哲圭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗(Si1－xGex)牺牲层，具有等于或高于至少导电线结构的高度的高度。然后，在牺牲层上形成用于限定接触孔的光刻胶图形，以及干法刻蚀牺牲层，由此形成用于露出衬底的接触孔。使用多晶硅形成用于填充接触孔的大量接触，以及剩余的牺牲层被湿法刻蚀。然后，用氧化硅填充除去了牺牲层的区域，由此形成第一层间绝缘层。