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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1277279C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03123312.0
申请日：2003-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种低电感且电感波动小的高频电感器，以用于无线通信终端所用的RF部件中，并公开了一种制造高频电感器的方法。高频电感器包括第一电感器装置，其将放置在衬底上方预定距离处的射频芯片与衬底电连接，并且该装置由低损耗介电材料包围，并具有第一接触端和第二接触端，该第一接触端与衬底相连；以及第二电感器装置，其将射频芯片连接到与该第一电感器装置上的第二接触端相连接，并且将射频芯片连接到该第一电感器装置上，从而该射频芯片与该衬底隔开预定距离。
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公开(公告)号：CN100382429C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031569.0
申请日：2004-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F1/0266
Abstract: 公开了一种具有可变偏置电压的可集成功率放大器，其中，基于整流晶体管的非线性，第一偏置控制器检测RF信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的DC信号。第二偏置控制器通过调整DC信号的电压使放大效率最优化，所述DC信号是经过作为互补器件的源极跟随器晶体管从第一偏置控制器接收的。放大器晶体管是由驱动电压触发的，根据从第二偏置控制器接收的偏置电压放大输入信号，并且输出放大信号。
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公开(公告)号：CN1495898A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03127286.X
申请日：2003-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于射频集成电路的电感器。该电感器包括多个单元电感器，每个单元电感器都具有竖向螺旋结构，其中，从多个单元电感器中选出的至少一个单元电感器的竖向截面是倒置的梯形。
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公开(公告)号：CN1551486A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410031569.0
申请日：2004-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F1/0266
Abstract: 公开了一种具有可变偏置电压的可集成功率放大器，其中，基于整流晶体管的非线性，第一偏置控制器检测RF信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的DC信号。第二偏置控制器通过调整DC信号的电压使放大效率最优化，所述DC信号是经过作为互补器件的源极跟随器晶体管从第一偏置控制器接收的。放大器晶体管是由驱动电压触发的，根据从第二偏置控制器接收的偏置电压放大输入信号，并且输出放大信号。
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公开(公告)号：CN1540688A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03123312.0
申请日：2003-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种低电感且电感波动小的高频电感器，以用于无线通信终端所用的RF部件中，并公开了一种制造高频电感器的方法。高频电感器包括第一电感器装置和第二电感器装置。第一电感器装置将放置于衬底上预定距离处的RF芯片电连接到衬底上，并由低损耗介电材料包围。第二电感器装置将RF芯片连接到第一电感器装置上。
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