公开(公告)号：CN1203444A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98102092.5

申请日：1998-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  丁寅权 ,  李元成

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 形成半导体器件接触塞的方法,包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括:在形成接触塞之后,通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层,平面化—腐蚀绝缘层上表面和接触塞,直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化—腐蚀导电层和绝缘层,以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。

公开(公告)号：CN1127123C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98102092.5

申请日：1998-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  丁寅权 ,  李元成

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 形成半导体器件接触塞的方法，包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括：在形成接触塞之后，通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层，平面化-腐蚀绝缘层上表面和接触塞，直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化-腐蚀导电层和绝缘层，以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。