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公开(公告)号：CN110944549A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048111.6
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蒸汽烹调器具有主体、设置在主体内部的腔体、设置为产生蒸汽的蒸汽生成器、供应管、排放管、排放喷嘴和冷却风扇，其中供应管将蒸汽生成器连接到腔体以将蒸汽供应到腔体中，排放管布置为将腔体内部的蒸汽排放到腔体外部，排放喷嘴联接到排放管的末端，冷却风扇设置在腔体与主体之间以冷却腔体，其中排放喷嘴设置在冷却风扇的底部附近以使得通过排放喷嘴排放的蒸汽在腔体与主体之间通过冷却风扇向下引导。蒸汽烹调器能够防止冷凝水掉落到主体的下部上。
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公开(公告)号：CN113647800A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110929915.0
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蒸汽烹调器具有主体、设置在主体内部的腔体、设置为产生蒸汽的蒸汽生成器、供应管、排放管、排放喷嘴和冷却风扇，其中供应管将蒸汽生成器连接到腔体以将蒸汽供应到腔体中，排放管布置为将腔体内部的蒸汽排放到腔体外部，排放喷嘴联接到排放管的末端，冷却风扇设置在腔体与主体之间以冷却腔体，其中排放喷嘴设置在冷却风扇的底部附近以使得通过排放喷嘴排放的蒸汽在腔体与主体之间通过冷却风扇向下引导。蒸汽烹调器能够防止冷凝水掉落到主体的下部上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110944549B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201880048111.6
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蒸汽烹调器具有主体、设置在主体内部的腔体、设置为产生蒸汽的蒸汽生成器、供应管、排放管、排放喷嘴和冷却风扇，其中供应管将蒸汽生成器连接到腔体以将蒸汽供应到腔体中，排放管布置为将腔体内部的蒸汽排放到腔体外部，排放喷嘴联接到排放管的末端，冷却风扇设置在腔体与主体之间以冷却腔体，其中排放喷嘴设置在冷却风扇的底部附近以使得通过排放喷嘴排放的蒸汽在腔体与主体之间通过冷却风扇向下引导。蒸汽烹调器能够防止冷凝水掉落到主体的下部上。
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公开(公告)号：CN119947107A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410639636.4
申请日：2024-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和半导体器件的制造方法以及电子系统。所述半导体器件包括栅极堆叠结构、多个沟道结构和分离图案。所述多个沟道结构包括邻近沟道结构，邻近沟道结构包括第一部分，第一部分具有与分离图案邻近的邻近表面和与分离图案间隔开的分离表面。栅极介电层和沟道层中的至少一个在邻近沟道结构的第一部分中的分离表面和邻近表面上。
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公开(公告)号：CN119815834A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410783723.7
申请日：2024-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/27 , H10B43/10 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/50 , H10B41/10
Abstract: 提供了非易失性存储器装置和包括其的电子系统。所述非易失性存储器装置包括：基底，包括第一单元区域、第二单元区域以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域；模制结构，包括在垫区域中以阶梯图案堆叠的多个栅电极；沟槽，沿着模制结构的轮廓在垫区域上，沟槽包括具有阶梯形状的底表面和在垫区域与壁区域之间的边界上的第一侧壁；衬膜，在沟槽的第一侧壁上；凹部，在沟槽中并暴露栅电极的垫部；单元接触件，设置在凹部处并与垫部连接；以及覆盖绝缘层，设置在沟槽处。衬膜相对于覆盖绝缘层具有不同的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN113647800B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110929915.0
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蒸汽烹调器具有主体、设置在主体内部的腔体、设置为产生蒸汽的蒸汽生成器、供应管、排放管、排放喷嘴和冷却风扇，其中供应管将蒸汽生成器连接到腔体以将蒸汽供应到腔体中，排放管布置为将腔体内部的蒸汽排放到腔体外部，排放喷嘴联接到排放管的末端，冷却风扇设置在腔体与主体之间以冷却腔体，其中排放喷嘴设置在冷却风扇的底部附近以使得通过排放喷嘴排放的蒸汽在腔体与主体之间通过冷却风扇向下引导。蒸汽烹调器能够防止冷凝水掉落到主体的下部上。
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公开(公告)号：CN114361174A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110870003.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 公开了三维半导体存储器装置以及包括三维半导体存储器装置的电子系统。所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和延伸区域；堆叠结构，沿第一方向延伸并且包括堆叠在基底上的栅电极；垂直结构，在单元阵列区域上穿透堆叠结构；模制结构，位于延伸区域的一部分上；第一支撑结构，在堆叠结构之间沿第一方向延伸；第二支撑结构，在延伸区域上穿透堆叠结构并且在第二方向上与第一支撑结构间隔开；以及第三支撑结构，在平面图中围绕模制结构。第二支撑结构的各顶表面和第三支撑结构的顶表面比垂直结构的顶表面高。
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