晶片加热装置以及使用其加热晶片的方法

    公开(公告)号:CN1193266C

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN00120146.8

    申请日:2000-07-18

    Inventor: 朴赞勋

    CPC classification number: H01L21/67109 F28D15/0233 H01L21/67103

    Abstract: 一种采用一种流态传热介质加热晶片的方法和装置。热量是由一加热源产生的。加热源的热量被传递给流态传热介质,从而使其的一液态部分气化。流态传热介质包含在一形成在加热源与固态传热介质之间的空间之内。蒸气的热量传递给固态传热介质,蒸气冷凝下来而回返为液态部分。晶片因而由固态传热介质予以加热。这样,晶片可以均匀地加热,亦即其表面处具有很微小的温度偏差。晶片和形成在其上的光刻薄膜所经受的热冲击相应地都很微小的。

    加热干胶片及在干胶片上烘烤光致抗蚀剂膜的方法和设备

    公开(公告)号:CN1282005A

    公开(公告)日:2001-01-31

    申请号:CN00124137.0

    申请日:2000-07-26

    Inventor: 朴赞勋

    CPC classification number: H01L21/67109 F28D15/0233 H01L21/67103

    Abstract: 为加热物体供热给第一固体热转移介质。热量从第一固体热转移介质传输至流体热转移介质,该介质划分成多个相互连接的蒸发腔,每个腔含有液体。热量使液体在相应的蒸发腔中蒸发成多个蒸汽部分,多个蒸汽部分向上平行导向物体。蒸汽部分和第二固体热转移介质接触,以加热第二固体热转移介质,由此将热量传输至第二固体热转移介质。第二固体热转移介质和物体热接触,将热量从第二固体热转移介质传输至物体。

    半导体器件
    3.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116419665A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202211634729.5

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 一种半导体器件,包括:衬底:下电极,设置在衬底上;至少一个支撑层,与下电极接触;介电层,设置在下电极上;上电极,设置在介电层上;第一界面膜,在下电极与介电层之间;以及第二界面膜,在上电极与介电层之间。第一界面膜和第二界面膜中的至少一个包括多个层,其中该多个层包括第一金属元素和第二金属元素、以及氧和氮中的至少一种。下电极包括第一金属元素。第一界面膜的第一区域包括第一浓度的第二金属元素,并且第一界面膜的第二区域包括与第一浓度不同的第二浓度的第二金属元素。

    晶片加热装置以及使用其加热晶片的方法

    公开(公告)号:CN1282003A

    公开(公告)日:2001-01-31

    申请号:CN00120146.8

    申请日:2000-07-18

    Inventor: 朴赞勋

    CPC classification number: H01L21/67109 F28D15/0233 H01L21/67103

    Abstract: 一种采用一种液态传热介质加热晶片的方法和装置。热量是由一加热源产生的。加热源的热量被传递给流态传热介质,从而使其的一液态部分气化。流态传热介质包含在一形成在加热源与固态传热介质之间的空间之内。蒸汽的热量传递给固态传热介质,蒸气冷凝下来而回返为液态部分。晶片因而由固态传热介质予以加热。这样,晶片可以均匀地加热,亦即其表面处具有很微小的温度偏差。晶片和形成在其上的光刻薄膜所经受的热冲击相应地都很微小的。

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