公开(公告)号：CN106977673B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN106977673A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

CPC classification number: C08F293/005 ,  B82Y40/00 ,  C08F12/20 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN107064564B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

公开(公告)号：CN107064564A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/28 ,  G01Q60/42 ,  H01L21/67288 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/00 ,  G01Q60/38 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。