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公开(公告)号：CN115729342A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210867629.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 提供了一种操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件。在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118016118A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310852035.7
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种操作半导体存储器件的方法包括：将模式寄存器的操作模式设置为第一操作模式，以允许以第一周期的间隔执行刷新操作；由控制逻辑在第一操作模式下对激活命令和预充电命令进行计数以生成计数信息；由控制逻辑将阈值计数值与计数信息进行比较，以确定计数信息是否达到阈值计数值；当确定计数信息达到阈值计数值时，由控制逻辑生成自适应模式信号；以及响应于自适应模式信号，将模式寄存器的操作模式设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式。第二周期小于第一周期。
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公开(公告)号：CN119274634A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410069770.5
申请日：2024-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎、错误检查和清洗(ECS)电路、行锤击管理电路和刷新控制电路。ECC引擎基于ECC解码的结果生成错误生成信号。ECS电路生成清洗地址并基于错误生成信号输出清洗地址中的至少一个清洗地址作为错误地址。行锤击管理电路将具有第一逻辑电平的错误标志存储在计数单元中，基于错误标志的逻辑电平将计数值与不同参考次数进行比较，并且输出锤击地址。刷新控制电路接收锤击地址并且对物理上邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的个或多个牺牲存储器单元行执行锤击刷新操作。
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公开(公告)号：CN119517110A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411106632.6
申请日：2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4076
Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法。所述半导体存储器装置的自刷新方法包括：接收与自刷新操作相关联的自刷新进入命令；对从接收到自刷新进入命令的时间起经过的时间进行计数；以及根据在计数的经过的时间超过参考时间之前是否接收到自刷新退出命令来跳过自刷新操作。
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公开(公告)号：CN118553281A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311400370.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其自刷新方法，所述方法包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。
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