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发明公开
半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法审中-公开

公开(公告)号：CN119517110A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411106632.6

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 , 金秀旻 , 金庾灿 , 金东河 , 金铉普

IPC: G11C11/406 , G11C11/4076

Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法。所述半导体存储器装置的自刷新方法包括：接收与自刷新操作相关联的自刷新进入命令；对从接收到自刷新进入命令的时间起经过的时间进行计数；以及根据在计数的经过的时间超过参考时间之前是否接收到自刷新退出命令来跳过自刷新操作。

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