公开(公告)号：CN118016118A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310852035.7

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪升基 ,  姜雄大 ,  朴泳宰

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种操作半导体存储器件的方法包括：将模式寄存器的操作模式设置为第一操作模式，以允许以第一周期的间隔执行刷新操作；由控制逻辑在第一操作模式下对激活命令和预充电命令进行计数以生成计数信息；由控制逻辑将阈值计数值与计数信息进行比较，以确定计数信息是否达到阈值计数值；当确定计数信息达到阈值计数值时，由控制逻辑生成自适应模式信号；以及响应于自适应模式信号，将模式寄存器的操作模式设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式。第二周期小于第一周期。

公开(公告)号：CN116092547A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211344813.3

申请日：2022-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪升基

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/406

Abstract: 提供了一种存储器装置、存储器系统及该存储器装置的操作方法。存储器装置的操作方法包括：接收行地址；确定操作模式是否是字节模式；当操作模式是字节模式时，对行地址的访问计数值向上计数，同时忽略页位；使用目标行锤击地址的访问计数值在目标行地址之中选择目标行锤击地址；计算与目标行锤击地址对应的受害行地址；以及对受害行地址执行目标刷新操作。