公开(公告)号：CN114256242A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110919267.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰弘 ,  朴在花 ,  金汶根 ,  黄定夏

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：至少一个半导体图案，包括在与半导体基底的顶表面平行的第二方向上延伸的水平部和在第一方向上延伸的竖直部；至少一个栅电极，在至少一个半导体图案的水平部上且在与第一方向和第二方向不同的第三方向上延伸；以及至少一个信息存储元件，连接到至少一个半导体图案的竖直部，其中，至少一个半导体图案的水平部的在第一方向上的厚度比至少一个半导体图案的竖直部的在第一方向上的厚度小。

公开(公告)号：CN110739266A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN110739266B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN115241133A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111570177.1

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  金汶根 ,  金硕壎 ,  林东灿

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了用于制造半导体装置的方法。根据公开的示例性实施例的半导体装置制造方法包括：对基底进行图案化，从而形成有源图案；形成穿透有源图案的沟槽；形成覆盖沟槽的支撑层；在支撑层处形成第一开口；通过第一开口形成填充沟槽的栅电极层；以及形成电连接到有源图案的位线结构。支撑层包括覆盖有源图案的顶表面的基部以及设置在沟槽中的支撑部。